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橢圓偏振儀測量硅表面上二氧化硅薄層厚度的方法

標 準 號： GB/T 31225-2014
替代情況：
發布單位： 中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
起草單位： 上海交通大學、納米技術及應用國家工程研究中心
發布日期： 2014-09-30
實施日期： 2015-04-15
點 擊 數：
更新日期： 2017年12月08日
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內容摘要

本標準給出了使用連續變波長、變角度的光譜型橢圓偏振儀測量硅表面上二氧化硅薄層厚度的方法。
本標準適用于測試硅基底上厚度均勻、各向同性、10nm~1000nm 厚的二氧化硅薄層厚度,其他對測試波長處不透光的基底上單層介電薄膜樣品厚度測量可以參考此方法。

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