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本規范規定了半導體集成電路Jμ8086型微處理器（以下簡稱器件）的詳細要求。

本規范規定了探測劑量率為0.02~0.12cGy/h的Y射線及100~1800脫變數/分·厘米的β射線計數管（簡稱計數管）的詳細要求。

本規范規定了SF—1213型硫化銻視象管的詳細要求。

本規范規定了3DK12B~F型功率開關晶體管的詳細要求。每種器件均按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。

本規范規定了3DK36B~H型功率開關晶體管的詳細要求。每種器件均按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。

本規范規定了3DK37B~H型功率開關晶體管的詳細要求。每秒器件均按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。

本規范規定了~G型功率開關晶體管的詳細要求。每種器件均按G1FB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。

本規范規定了3DK38B~H型功率開關晶體管的詳細要求。每咱器件均按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等(GP、GT和GCT級).

本規范規定了3DK222l、3DK2221A、3DK2222和3DK2222A型NPN硅小功率開關晶體管(以下簡稱器件)的詳細要求。每種器件按GJB33《半導體分立器件總規規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和pCT級).

本規范規定了3DG9l8型NPN硅超高頻小功率晶體管(以某側箍器件)的詳細婆$b該種器件按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等(GP、GT和GCT級).

本規范規定了3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反壓晶體管(以下簡稱器件)的詳細要求。該種器件按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。

本規范規定了3CK3634~3CK3637mPNP硅小功率開關晶體管（以下簡稱器件)的詳細要求。該秒器件按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。

拳巍瘟巍量一2CK28B~H型勸率殼凳晶體管的詳細要求;每種器件均按CJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。

本規范規定了3CT103型反向阻斷閘流晶體管(以下簡稱器件)的詳細要求，該種器件按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP，GT和GCT級)。

本規范規定了3CT107型反向阻斷閘流晶體管（以下簡稱器件）的詳細要求該種器件按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定提供產品保證的三個等級（GP，GT和GCT級）。

本規范規定了CS3821、CS3822和CS3823型硅溝道結型場效應晶體管（以下簡稱器件）的詳細要求。每種器件境按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級).????

本規范規定了2DW232~2DW236型硅電壓基準二極管(以下簡稱器件)的詳細要求.該器件按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。

本規范規定了2CW2970~3015型的型（標準極性）硅電壓調整二極管（以下簡稱器件)的詳細要求。該器件按GJB33〈〈半導體分立器件總規范〉〉的規定，提供產品保證的三企等級(GP，GT和GCT級).

本規范規定了2CZ5550~5554型硅整流二極管（以下簡稱器件）的詳細要求。該種器件按GJB33《半導體分立器件總規范》定，提供產品保證的三個等級（GP、GT和GCT級）。

本規范規定了2CW3ol6~305l型硅電壓調整二極管(以下簡稱器件)的詳細要求。該種器件按GＪB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。

本規范規定了CCK10l型有可靠性指標的瓷介固定電容器的結構、尺寸、主要參數和要求.本規范適用于低損耗、電容量穩定并有確定溫度系數的諧振回路和需要補償溫度效應的電路中使用的瓷介電容器。本規范規定的電容器的完整要求由本規范和總規范GJB468組成。

本規范規定了CCK102型有可靠性指標的瓷介固定電容器的結構、尺寸、主要參數和要求.本規范適用于低損耗、電容量穩定并有確定溫度系數的諧振回路和需要補償溫度效應的電路中使用的瓷介電容器。本規范規定的電容器的完整要求由本規范和總規范GJB468組成。

本規范規定了CCK404型有可靠性指標的瓷介固定電容器的結構、尺寸、主要參數和要求.本規范適用于低損耗、電容量穩定并有確定溫度系數的諧振回路和需要補償溫度效應的電路中使用的瓷介電容器。本規范規定的電容器的完整要求由本規范和總規范GJB468組成。

本規范規定了CCK405型有可靠性指標的瓷介固定電容器的結構、尺寸、主要參數和要求.本規范適用于低損耗、電容量穩定并有確定溫度系數的諧振回路和需要補償溫度效應的電路中使用的瓷介電容器。本規范規定的電容器的完整要求由本規范和總規范GJB468組成。

本規范規定了CCK405型有可靠性指標的瓷介固定電容器的結構、尺寸、主要參數和要求.本規范適用于低損耗、電容量穩定并有確定溫度系數的諧振回路和需要補償溫度效應的電路中使用的瓷介電容器。本規范規定的電容器的完整要求由本規范和總規范GJB468組成。

本規范規定了CCK406型有可靠性指標的瓷介固定電容器的結構、尺寸、主要參數和要求.本規范適用于低損耗、電容量穩定并有確定溫度系數的諧振回路和需要補償溫度效應的電路中使用的瓷介電容器。本規范規定的電容器的完整要求由本規范和總規范GJB468組成。

本規范規定了CCK410l型有可靠性指標的非密封多層片狀瓷介固定電容器的適用外形結構、尺寸、主要參數和要求.本規范適用于低損耗、電容量穩定并有確定溫度系數的諧振回路和需要補償溫度效應的電路中使用的瓷介電容器。本規范規定的電容器的完整要求由本規范和總規范GJB468組成。

本文件規定了4K超高清晰度機頂盒的技術要求和測量方法。 本文件適用于直播衛星電視、有線電視、互聯網電視、IPTV等4K超高清晰度機頂盒的設計、生產和測量。

為規范有線電視高清超高清直播互動平臺工程的設計、施工和驗收等建設活動,制定本標準。 本標準適用于新建、改建有線電視高清超高清直播互動平臺工程的設計、施工和驗收。 承擔有線電視高清超高清直播互動平臺工程的設計、系統集成和施工的單位應具有相應的資質和能力。 有線…

本規范適用于在電路中作旁路、耦合或對于損耗和電容量穩定性要求不高的鑒頻電路中使用的多層片狀瓷介固定電容器。