、<100>和<110>晶向的硅單晶襯底上生長的2μm~120μm硅外延層厚度的測量。" />

免费精品国产自产拍在线观看图片,亚洲 欧美 综合 高清 在线,涩里番app黄版网站,影音先锋欧美一区二区,久久久老熟女一区二区三区91,色综合亚洲色综合网站,夜色99视频多人聊天室,玖玖精品国产,胸好大用力深一点,色多多深夜福利免费观看

安全管理網

現行
導航:安全管理網>> 安全標準>> 行業標準>> 冶金>>正文

硅外延層厚度測定 堆垛層錯尺寸法

標 準 號: YS/T 23-2016
替代情況: 替代 YS/T 23-1992
發布單位: 中華人民共和國工業和信息化部
起草單位: 南京國盛電子有限公司
發布日期: 2016-04-05
實施日期: 2016-09-01
點 擊 數:
更新日期: 2017年12月26日
下載地址:點擊這里 1.84MB
下載點數:20點(VIP會員免費)
內容摘要

本標準規定了利用堆垛層錯尺寸法測量硅外延層厚度的方法。
本標準適用于在<111>、<100>和<110>晶向的硅單晶襯底上生長的2μm~120μm硅外延層厚度的測量。

上一篇: 氧化亞鎳
下載地址(請點擊下面地址下載)
*本標準來自網友 zhuyeliang 分享,只作為網友的交流學習之用。
網友評論 more
創想安科網站簡介會員服務廣告服務業務合作提交需求會員中心在線投稿版權聲明友情鏈接聯系我們