本文件規定了用直排四探針法和直流兩探針法測試硅單晶電阻率的方法。
本文件適用于硅單晶電阻率的測試，其中直排四探針法可測試的p型硅單晶電阻率范圍為7 10-4 ·cm～8 103 ·cm，n型硅單晶電阻率范圍為7 10-4 ·cm～1.5 104 ·cm；直流兩探針法適用于測試截面積均勻的圓形、方形或矩形硅單晶的電阻率，測試范圍為1 10-3 ·cm～1 104 ·cm，樣品長度與截面最大尺寸之比不小于3:1。硅單晶其他范圍電阻率的測試可參照本文件進行。