本文件規定了電容?電壓法測試硅外延層載流子濃度的方法，包括汞探針電容?電壓法和無接觸電容?電壓法。本文件適用于同質硅外延層載流子濃度的測試，測試范圍為4×1013 cm-3～8×1016 cm-3，其中硅外延層的厚度大于測試偏壓下耗盡層深度的兩倍。硅單晶拋光片和同質碳化硅外延片載流子濃度的測試也可以參照本文件進行，其中無接觸電容?電壓法不適用于同質碳化硅外延片載流子濃度的測試。