本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用高分辨X 射線衍射測量GaAs襯底上AlGaAs外延層中Al含量的試驗方法。
本方法適用于在未摻雜GaAs襯底<001>方向上生長的AlGaAs外延層中Al含量的測定,使用
本方法測量Al元素含量時,AlGaAs外延層厚度應(yīng)大于300nm。