本文件描述了用透射電子顯微術(shù)測(cè)定線狀晶體表觀生長(zhǎng)方向的方法。
本文件適用于通過(guò)各種方法制備的所有種類的線狀晶體材料，也適用于測(cè)定在鋼、合金和其他材料中析出的類似于棒狀或多邊形第二相顆粒的一個(gè)軸的方向。受透射電子顯微鏡（TEM)的加速電壓和樣品自身等條件的制約，本文件適用于直徑（或厚度或?qū)挾?為幾十納米到一百納米左右的晶體材料。本文件不適用于測(cè)定折疊、扭曲、旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的線狀晶體。
注： 在本文件中，線狀晶體、帶狀晶體、針狀第二相顆粒等均屬于廣義上的線狀晶體。
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